Kemampuan Daya dan Memparalel Transistor Final Class AB

Kemampuan daya transistor final, kekuatan arus dan tegangangan umumnya sangat diperlukan oleh para penghobi amplifier berdaya tinggi khususnya class A/B , karena ini akan sangat menentukan kekuatan daya keluaran serta ketahanannya/durabilitas atau keamanannya. Transistor final amplifier yang umum dikenal diantaranya 2n3055/mj2955, 2sc5200/2sc1945, 2n2922/2sa1216, MJE15032/MJE15033, MJ15003/MJ15004 atau MJL3281A/MJL1302A. Mana yang akan dipergunakan sebagai transitor final buat driver amplifier kita?  tentu ada banyak hal yang harus dipertimbangkan, untuk itu kita wajib mengetahui spesifikasi masing-masing. Spesifikasi-spesifikasi dari setiap komponen seperti transistor bisa diketahui melalui datasheet produsen yang bisa didapatkan di website-website mereka, atau sering juga disediakan website pihak ketiga.

Kemampuan transistor Terhadap Daya Keluaran(Watt)

Memahami spesifikasi transistor berdasarkan informasi datasheet

Untuk membaca datasheet dari transistor, kita harus memahami bahasa-bahasa atau sitilah-istilah umum yang menjelaskan tentang spesifikasi sesuai dengan kemampuan transistor. Berikut beberapa istilah yang mengacu kepada spesifikasi penting yang perlu diperhatikan dalam memilih transistor daya:

Tegangan Kolektor-Emitter Maksimum (VCEO): Menunjukkan tegangan maksimum yang dapat ditoleransi antara terminal kolektor dan terminal emitter pada kondisi operasional normal. Penting untuk memastikan bahwa tegangan beban yang diterapkan pada transistor tidak melebihi nilai VCEO yang ditentukan.

Arus Kolektor Maksimum (IC): Merupakan batasan arus maksimum yang dapat dijalankan melalui transistor tanpa mengakibatkan kerusakan. Pemilihan transistor daya harus mempertimbangkan arus beban yang akan digunakan untuk memastikan bahwa nilai IC yang dipilih dapat menangani beban tersebut.

Daya Dissipasi Maksimum (Pd): Menunjukkan jumlah daya maksimum yang dapat dihilangkan oleh transistor tanpa menyebabkan overheating atau kerusakan. Penting untuk memastikan bahwa daya yang dihasilkan oleh transistor saat digunakan dalam aplikasi tidak melebihi nilai Pd yang ditentukan.

Gain Arus (hFE atau β): Mengukur perbandingan antara arus kolektor (IC) dan arus basis (IB) pada transistor. Nilai hFE yang tinggi menunjukkan transistor memiliki kemampuan amplifikasi yang baik. Namun, perlu dicatat bahwa nilai hFE dapat bervariasi tergantung pada kondisi kerja transistor.

Tegangan Jepit Basis-Emittter (VBE(sat)): Merupakan tegangan jepit antara basis dan emitter saat transistor dalam keadaan jenuh (saturated). Nilai VBE(sat) yang rendah menandakan transistor memiliki resistansi rendah dalam keadaan jenuh dan dapat memberikan efisiensi yang lebih baik dalam aplikasi daya.

Kecepatan Beralih (Switching Speed): Menunjukkan seberapa cepat transistor dapat beralih dari kondisi jenuh ke kondisi terpotong (cut-off) atau sebaliknya. Kecepatan beralih yang baik penting dalam aplikasi daya yang memerlukan respons cepat.

Jenis Paket: Transistor daya tersedia dalam berbagai jenis paket fisik, seperti TO-220, TO-247, atau TO-3P. Pemilihan jenis paket yang sesuai harus mempertimbangkan kebutuhan pendinginan, kemudahan pemasangan, dan kapabilitas daya.

Selain memahami apa yang dimaksud dari spesifikasi penting di atas, faktor-faktor seperti suhu operasional, keandalan, dan karakteristik termal juga perlu dipertimbangkan saat memilih transistor daya yang tepat untuk penggunaan tertentu. Datasheet transistor yang diberikan oleh produsen merupakan sumber informasi yang penting dalam memahami dan memilih transistor daya yang sesuai dengan kebutuhan, sekali lagi ini bisa didapat secara online.

Kemampuan beberapa tarnsistor final amplifier daya tinggi class ab

transistor final untuk bass

1. 2n3055/mj2955

Transistor final amplifier 2N3055 adalah transistor NPN daya yang sering digunakan dalam aplikasi amplifier kelas AB. Berikut adalah beberapa informasi umum tentang kemampuan arus, voltase, disipasi daya, dan daya keluaran RMS dari transistor 2N3055 pada driver amplifier kelas AB:

Kemampuan Arus (Ic): Secara umum transistor 2N3055 memiliki kemampuan arus kolektor (Ic) yang cukup tinggi, yaitu sekitar 15 Ampere (A) hingga 20A. Namun, nilai ini juga bisa bergantung pada kondisi operasional dan parameter desain tertentu.

Kemampuan Voltase (Vceo): Transistor 2N3055 memiliki kemampuan tegangan kolektor-emiter (Vceo) yang mencapai 60 Volt (V). Ini menunjukkan bahwa transistor ini bisa menangani tegangan kolektor hingga 60 V sebelum terjadi breakdown atau kerusakan.

Disipasi Daya (Pd): Transistor 2N3055 memiliki kemampuan disipasi daya (Pd) hingga sekitar 115 Watt (W). Disipasi daya ini mencerminkan jumlah daya yang bisa ditangani oleh transistor tanpa menyebabkan kerusakan atau overheating.

Daya Keluaran RMS: Daya keluaran RMS dari transistor 2N3055 pada driver amplifier kelas AB akan bervariasi tergantung pada konfigurasi dan desain amplifier yang digunakan. Transistor 2N3055 pada umumnya digunakan sebagai transistor daya yang mengendalikan arus besar pada output amplifier. Oleh karena itu, nilai daya keluaran RMS yang akurat akan ditentukan oleh kombinasi transistor driver dan transistor final yang digunakan dalam rangkaian amplifier tersebut.

2. 2sc5200/2sa1943

Berdasarkan datasheet transistor final amplifier 2SC5200, berikut adalah informasi tentang kemampuan arus, voltase, disipasi daya, dan daya keluaran RMS pada driver amplifier kelas AB:

Kemampuan Arus (Ic): Maksimum 30 Ampere (A). Ini menunjukkan bahwa transistor dapat menangani arus kolektor hingga 30A sebelum mencapai batas maksimumnya.

Kemampuan Voltase (Vceo): 230 Volt (V). Ini menunjukkan bahwa transistor dapat menangani tegangan kolektor-emiter hingga 230V sebelum terjadi breakdown atau kerusakan.

Disipasi Daya (Pd): 150 Watt (W). Disipasi daya ini mencerminkan jumlah daya yang dapat ditangani oleh transistor tanpa menyebabkan kerusakan atau overheating .

Daya Keluaran RMS: Daya keluaran RMS transistor 2SC5200 pada driver amplifier kelas AB akan bervariasi tergantung pada konfigurasi dan desain amplifier yang digunakan. Transistor 2SC5200 pada umumnya digunakan sebagai transistor final. Oleh karena itu, nilai daya keluaran RMS yang akurat akan ditentukan oleh kombinasi transistor driver dan transistor final yang digunakan.

3. 2sc2922

Berdasarkan datasheet transistor final amplifier 2SC2922, berikut adalah informasi tentang kemampuan arus, voltase, disipasi daya, dan daya keluaran RMS pada driver amplifier kelas AB:

Kemampuan Arus (Ic): Maksimum 15 Ampere (A). Ini menunjukkan bahwa transistor dapat menangani arus kolektor hingga 15A sebelum mencapai batas maksimumnya.

Kemampuan Voltase (Vceo): 230 Volt (V). Ini menunjukkan bahwa transistor dapat menangani tegangan kolektor-emiter hingga 230V sebelum terjadi kerusakan.

Disipasi Daya (Pd): 150 Watt (W). Disipasi daya ini mencerminkan jumlah daya yang dapat ditangani oleh transistor tanpa menyebabkan kerusakan atau panas yang berlebihan.

Daya Keluaran RMS: Daya keluaran RMS transistor 2SC2922 pada driver amplifier kelas AB akan beda-beda tergantung dari konfigurasi dan desain amplifiernya. Transistor 2SC2922 secara umum digunakan sebagai transistor final amplifier, bukan sebagai driver langsung. Oleh karena itu, nilai daya keluaran RMS yang akurat akan ditentukan oleh kombinasi transistor driver dan transistor final yang digunakan dalam rangkaian amplifier tersebut.

4. MJL21193/MJL21194

Berdasarkan datasheet transistor final amplifier MJL21193, berikut adalah informasi tentang kemampuan arus, voltase, disipasi daya, dan daya keluaran RMS pada driver amplifier kelas AB:

Kemampuan Arus (Ic): Maksimum 16 Ampere (A). Ini menunjukkan bahwa transistor dapat menangani arus kolektor hingga 16A sebelum mencapai batas maksimumnya.

Kemampuan Voltase (Vceo): 250 Volt (V). Ini menunjukkan bahwa transistor dapat menangani tegangan kolektor-emas hingga 250V sebelum terjadi breakdown atau kerusakan.

Disipasi Daya (Pd): 250 Watt (W). Disipasi daya ini mencerminkan jumlah daya yang dapat ditangani oleh transistor tanpa menyebabkan kerusakan atau overheating yang berlebihan.

Daya Keluaran RMS: Daya keluaran RMS transistor MJL21193 pada driver amplifier kelas AB akan bervariasi tergantung pada konfigurasi dan desain amplifier yang digunakan. Transistor MJL21193 pada umumnya digunakan sebagai transistor daya yang mengendalikan arus besar pada keluaran amplifier, bukan sebagai driver langsung. Oleh karena itu, nilai daya keluaran RMS yang akurat akan ditentukan oleh kombinasi transistor driver dan transistor keluaran yang digunakan dalam rangkaian amplifier tersebut.

Informasi ini hanya bersifat umum dan nilai-nilai spesifik dari kemampuan arus, voltase, disipasi daya, dan daya keluaran RMS bisa beda-beda tergantung pada kondisi operasional, suhu, dan desain dari amplifier yang digunakan. Penting untuk selalu merujuk pada datasheet transistor yang bersangkutan dan melakukan perhitungan dan pemilihan komponen yang tepat sesuai dengan kebutuhan desain Anda.

Kaitan antara disipasi daya dan daya keluaran(watt) amplifier class ab

Dalam amplifier kelas AB ada hubungan erat antara disipasi daya (Pd) dan daya keluaran (Po). Disipasi daya mengacu pada jumlah daya yang dihabiskan oleh transistor atau komponen aktif lainnya dalam amplifier saat beroperasi. Daya keluaran, di sisi lain, adalah daya yang dihasilkan oleh amplifier dan disampaikan ke speaker atau beban lainnya.

Baca Juga :  Mana yang terbaik Pilih Final Sanken Atau Toshiba Untuk Driver Amplifier?

Dalam amplifier kelas AB, disipasi daya dapat dibagi menjadi dua bagian yaitu: disipasi daya statis dan disipasi daya dinamis. Disipasi daya statis terjadi ketika transistor aktif pada bagian positif dan negatif gelombang sinyal tidak aktif, atau berada pada keadaan idle (tidak menghantarkan arus). Disipasi daya dinamis terjadi ketika transistor aktif menghantarkan arus ketika sinyal input ada. Jadi daya keluaran dinamis berubah-ubah tergantung dari besar atau kecilnya signal input yang masuk ke amplifier misalnya audio. Maka biasanya yang dihitung adalah daya maksimal atau P-Max yaitu ketika volume sudah mentok untuk mengetahui seberapa besar kemampuan dari amplifier.

Karena amplifier kelas AB hanya menghantarkan arus ketika diperlukan (misalnya, saat sinyal input mencapai ambang batas), disipasi daya biasanya lebih rendah daripada amplifier kelas A yang selalu menghantarkan arus. Nah, ketika pada saat sinyal input tidak ada atau sangat kecil, transistor aktif tetap sedikit menghantarkan arus untuk menghindari distorsi crossover. Oleh karena itu, disipasi daya tetap ada meskipun lebih kecil pada class ab daripada pada amplifier kelas A.

Hubungan antara disipasi daya dan daya keluaran pada amplifier kelas AB dapat dijelaskan sebagai berikut: semakin tinggi daya keluaran yang dihasilkan oleh amplifier, semakin tinggi pula disipasi daya yang dibutuhkan. Ini berarti bahwa saat amplifier menghasilkan daya keluaran yang lebih tinggi, transistor atau komponen aktif lainnya akan menghabiskan lebih banyak daya dalam bentuk panas. Oleh karena itu, dalam perancangan amplifier kelas AB, penting untuk memperhatikan manajemen panas yang baik untuk mencegah overheating dan kerusakan komponen.

Misalnya disipasi daya sebuah transistor final adalah 150W, artinya transistor akan menurun kemampuannya karena menyentuh titik panas tertinggi ketika menghantarkan daya keluaran sebesar 150watt bahkan bisa rusak jika melebihi itu. Jadi, disipasi daya sebesar 150W tidak serta merta transistor tersebut bisa menghasilkan daya keluaran sebesar 150W tentu saja secara berpasangan dalam sistem kelas AB. Maka, jika menentukan berapa daya keluaran sebuah transistor bukan disipasinya yang dihitung melainkan arus, yaitu dari power supply yang biasanya menggunakan trafo berapa ampere, 10A/45V dan seterusnya. Baca lebih lanjut di : Cara Menghitung Kemampuan Trafo Terhadap Watt Power Amplifier

Mempararel transistor final

cara memasang banyak tr final thosiba socl4

Ketika transistor final diparalelkan, disipasi daya akan tergantung pada cara paralel yang dilakukan. Terdapat dua metode umum untuk menghubungkan transistor secara paralel, yaitu dengan penggunaan resistor pembagi basis (base current sharing) atau dengan menggunakan trafo (power transformer).

Metode memparalel transistor final

Penggunaan Resistor Pembagi Basis: Metode ini melibatkan penggunaan resistor pembagi basis untuk membagi arus basis secara merata antara transistor-transistor yang diparalelkan. Dalam hal ini, setiap transistor akan mengalirkan sejumlah arus basis yang sesuai dengan nilai resistor pembagi basis yang diberikan. Disipasi daya pada masing-masing transistor dapat dihitung berdasarkan arus kolektor dan tegangan kolektor-emitter yang melewati transistor tersebut. Biasanya ini yang paling sering dipraktekkan, dan resistor pembagi basis yang sering dipraktekkan yaitu antara 10 ohm.

Penggunaan Trafo : Metode ini melibatkan penggunaan trafo daya sebagai penyedia sumber arus basis yang merata untuk transistor-transistor yang diparalelkan. Dalam hal ini, trafo daya akan menyediakan arus basis yang terbagi secara merata ke setiap transistor. Disipasi daya pada masing-masing transistor dapat dihitung berdasarkan arus kolektor dan tegangan kolektor-emitter yang melewati transistor tersebut.

Ketika transistor-transistor diparalelkan, perlu diperhatikan bahwa setiap transistor harus memiliki karakteristik yang serupa, seperti hFE (gain arus) dan VBE (tegangan basis-emiiter) yang serupa. Selain itu, perlu juga memperhatikan pembatasan daya total dan pendinginan yang memadai untuk mencegah overheating pada transistor-transistor yang diparalelkan.

Pengaruh disipasi dan daya keluaran transistor final yang dipararelkan

Dalam hal disipasi daya, ketika transistor-transistor diparalelkan, disipasi daya total akan terbagi secara merata antara transistor-transistor tersebut, sehingga masing-masing transistor akan mengalami disipasi daya yang lebih rendah dibandingkan jika transistor tersebut digunakan secara sendiri dengan beban yang sama. Namun, perlu dicatat bahwa dalam kondisi tertentu, seperti jika transistor-transistor tersebut tidak membagi arus secara merata atau memiliki karakteristik yang berbeda, disipasi daya dapat tidak terdistribusi dengan sempurna dan perlu dihitung secara sendiri sendiriuntuk masing-masing transistor.

Ketika transistor final amplifier dihubungkan secara paralel, yaitu transistor-transistor tersebut dihubungkan dalam konfigurasi paralel untuk meningkatkan kemampuan arus dan daya keluaran, ada beberapa pengaruh pada disipasi daya dan daya keluaran yang perlu diperhatikan:

Disipasi Daya: Ketika transistor-transistor dihubungkan secara paralel, disipasi daya total akan meningkat. Hal ini disebabkan oleh peningkatan kemampuan arus yang diperbolehkan oleh konfigurasi paralel. Karena setiap transistor akan berkontribusi pada aliran arus keseluruhan, disipasi daya akan terbagi di antara transistor-transistor tersebut. Oleh karena itu, disipasi daya pada setiap transistor akan berkurang dibandingkan dengan jika hanya satu transistor yang digunakan. Namun, perlu diperhatikan bahwa peningkatan jumlah transistor dalam konfigurasi paralel juga akan meningkatkan kompleksitas manajemen panas dan perlunya pendinginan yang efektif.

Daya Keluaran: Dengan menghubungkan transistor-transistor secara paralel, daya keluaran total akan meningkat. Ini karena kemampuan arus kolektor yang lebih tinggi dari transistor-transistor paralel akan menghasilkan daya keluaran yang lebih besar. Setiap transistor akan berkontribusi pada peningkatan daya keluaran secara proporsional dengan kemampuan arusnya. Namun, yang perlu diperhatikan bahwa dalam konfigurasi paralel kita perlu memastikan bahwa transistor-transistor tersebut bekerja secara seimbang agar daya keluaran terbagi dengan baik.

Penting: Saat menghubungkan transistor final amplifier secara paralel, penting untuk memilih transistor dengan nilai yang serupa atau sebanding dalam hal karakteristik elektrik seperti hfe (current gain), Vceo (voltase kolektor-emitter maksimum), dan kemampuan arus yang sesuai. Selain itu, pengaturan termal yang baik dan pengelolaan panas yang efektif juga sangat penting agar transistor-transistor tetap dalam suhu operasional yang aman dan menghindari overheating.

Dalam rangka merancang dan mengimplementasikan transistor final amplifier yang dihubungkan secara paralel, disarankan untuk merujuk pada datasheet transistor yang bersangkutan, melakukan perhitungan yang tepat, dan mempertimbangkan faktor-faktor termal untuk memastikan disipasi daya yang sesuai dan daya keluaran yang diinginkan.

Beberapa hal tambahan yang perlu diperhatikan dalam memparalel transistor final:

Pembagian Arus: Saat transistor-transistor dihubungkan secara paralel, penting untuk memastikan pembagian arus yang seimbang di antara mereka. Jika pembagian arus tidak merata, satu atau beberapa transistor dapat mengalami beban arus yang lebih tinggi, sementara yang lain mengalami beban arus yang lebih rendah.

Kestabilan dan Kehandalan: penting untuk memperhatikan kestabilan dan kehandalan operasi secara keseluruhan. Ketika transistor-transistor dihubungkan secara paralel, karakteristik seperti hfe dan thermal runaway harus dipertimbangkan. Pastikan bahwa transistor-transistor yang digunakan memiliki karakteristik yang serupa dan tidak rentan terhadap efek termal yang tidak seimbang. Selain itu, penggunaan pendinginan yang baik seperti heatsink penting untuk menjaga kestabilan operasi dan mencegah kerusakan pada transistor.

Efisiensi dan Distorsi: Ketika transistor-transistor dihubungkan secara paralel, efisiensi amplifier dapat meningkat. Karena setiap transistor berkontribusi pada daya keluaran, beban arus pada setiap transistor bisa dikurangi, yang pada gilirannya dapat mengurangi rugi-rugi daya yang dihasilkan. Namun, perlu diperhatikan bahwa pengaturan yang tepat dari biasing (pengaturan tegangan bias) dan penggunaan komponen peredam (emitter degeneration) juga penting untuk mengurangi distorsi dan mempertahankan kualitas suara yang baik.

Akhir kata :

Pada dasarnya, menghubungkan transistor final amplifier secara paralel dapat meningkatkan kemampuan arus, daya keluaran, dan efisiensi amplifier. Namun, perlu diingat bahwa konfigurasi paralel ini juga membawa tantangan seperti manajemen panas, pembagian arus yang seimbang, dan kestabilan operasi.

Hubungan antara disipasi daya dan daya keluaran dapat dipengaruhi oleh berbagai faktor seperti efisiensi amplifier, desain sirkuit, jenis transistor yang digunakan, dan pengaturan termal. Oleh karena itu, penting untuk merujuk pada datasheet transistor dan melakukan perhitungan yang tepat untuk memastikan bahwa amplifier kelas AB Anda dirancang dengan disipasi daya yang sesuai dengan kebutuhan daya keluaran yang diinginkan.

Leave a Reply