IGBT Adalah Gabungan Mosfet dan Transistor?

jenIGBT adalah sebuah komponen semikonduktor yang dapat mengalirkan arus listrik pada tingkat yang tinggi dan sering digunakan dalam rangkaian elektronik daya. IGBT merupakan kependekan dari (Insulated Gate Bipolar Transistor). Terdiri dari tiga lapisan semikonduktor: lapisan n+ (emitor), lapisan p (basis), dan lapisan n- (kolektor). IGBT berbeda dengan transistor biasa karena memiliki sebuah gerbang (gate) yang diisolasi, mirip dengan MOSFET. Gerbang ini digunakan untuk mengontrol arus kolektor dengan memanipulasi arus basis.

IGBT digunakan dalam aplikasi seperti konverter listrik, motor kontrol, sistem tenaga surya, dan lain sebagainya. Keuntungan utama dari IGBT adalah kemampuannya untuk menangani arus listrik tinggi dan tegangan tinggi, serta memiliki keuntungan kecepatan switch yang lebih cepat dan efisiensi yang lebih tinggi dibandingkan dengan transistor bipolar konvensional. Selain itu, IGBT juga memiliki karakteristik yang lebih stabil pada suhu tinggi dan toleransi tegangan breakdown yang lebih tinggi, sehingga membuatnya cocok untuk digunakan dalam aplikasi daya yang lebih besar.

IGBT, aplikasi, Dan kelebihan-kelebihan, penemu, dan penyebab kerusakannya

FUNGSI DAN CARA KERJA IGBT

Penggunaan atau aplikasi IGBT

IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor) dapat digunakan dalam berbagai aplikasi yang memerlukan pengontrolan daya tinggi dan efisiensi yang lebih tinggi dibandingkan dengan transistor konvensional. Beberapa aplikasi umum dari IGBT adalah sebagai berikut:

  • Konverter Listrik: IGBT digunakan dalam konverter listrik untuk mengubah tegangan AC menjadi DC atau sebaliknya. Konverter listrik digunakan dalam berbagai aplikasi seperti mesin las, alat-alat medis, dan mesin industri.
  • Motor Kontrol: IGBT dapat digunakan dalam sistem pengendalian motor untuk mengontrol kecepatan dan arah putaran motor. Aplikasi motor kontrol meliputi pengendalian motor DC, motor induksi, dan motor sinkron.
  • Sistem Tenaga Surya: IGBT digunakan dalam sistem tenaga surya untuk mengubah energi yang dihasilkan oleh panel surya menjadi bentuk energi yang dapat digunakan oleh peralatan rumah tangga dan industri.
  • Sistem Pembangkit Tenaga Listrik: IGBT dapat digunakan dalam sistem pembangkit tenaga listrik untuk mengontrol pengaturan tegangan dan frekuensi.
  • UPS (Uninterruptible Power Supply): IGBT digunakan dalam UPS untuk menyediakan sumber daya listrik yang stabil dan kontinu selama kegagalan daya atau pemadaman listrik.
  • Elektronik Kendaraan: IGBT digunakan dalam aplikasi kendaraan seperti sistem pengisian baterai, sistem pengendalian motor, dan sistem pengisian kendaraan listrik.
  • Elektronik Rumah Tangga: IGBT digunakan dalam peralatan rumah tangga seperti AC, kulkas, mesin cuci, dan peralatan elektronik lainnya untuk mengontrol daya dan efisiensi.
  • Sistem Elektronik Industri: IGBT digunakan dalam sistem elektronik industri seperti kontrol motor, sistem kontrol daya, dan sistem pemanas untuk meningkatkan efisiensi dan mengurangi biaya operasional.

Dalam semua aplikasi ini, IGBT memberikan efisiensi yang lebih tinggi, kecepatan switch yang lebih cepat, dan toleransi tegangan breakdown yang lebih tinggi dibandingkan dengan transistor konvensional.

Penyebab kerusakan IGBT Secara Umum

IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor) dapat mengalami kerusakan karena berbagai alasan, seperti:

  • Overheating: IGBT rentan terhadap kerusakan akibat overheating (kelebihan panas). Hal ini dapat terjadi karena penggunaan IGBT pada kondisi yang melebihi kapasitasnya, atau kurangnya pendinginan yang memadai pada sistem. Overheating dapat mengurangi performa dan usia pakai IGBT.
  • Tegangan berlebihan: IGBT dapat rusak jika terpapar tegangan yang melebihi batas toleransinya. Tegangan berlebihan dapat disebabkan oleh kegagalan sistem proteksi atau kesalahan pada desain sistem yang menggunakan IGBT.
  • Arus berlebihan: IGBT dapat rusak jika terpapar arus yang melebihi batas toleransinya. Arus berlebihan dapat terjadi karena kegagalan pada sistem kontrol arus atau kesalahan pada desain sistem yang menggunakan IGBT.
  • Transient voltage: IGBT dapat rusak karena tegangan transien yang muncul secara tiba-tiba pada sistem listrik. Transient voltage dapat disebabkan oleh petir, gangguan pada sistem daya, atau kegagalan sistem proteksi.
  • Kegagalan isolasi: IGBT memiliki isolasi antara gate dan channel yang memerlukan kualitas isolasi yang baik. Kegagalan isolasi dapat disebabkan oleh kesalahan produksi atau penggunaan IGBT pada kondisi yang kurang kondusif.
  • Kerusakan fisik: IGBT dapat rusak akibat kerusakan fisik seperti benturan atau getaran yang terjadi pada sistem.

Untuk menghindari kerusakan IGBT, penting untuk memilih IGBT yang sesuai dengan kebutuhan sistem, mengontrol arus dan tegangan yang digunakan, serta menggunakan sistem pendinginan yang memadai. Selain itu, penggunaan sistem proteksi dan pemeliharaan yang tepat dapat membantu memperpanjang usia pakai IGBT.

Penemu IGBT

IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor) pertama kali ditemukan oleh sekelompok insinyur di Mitsubishi Electric Corporation pada tahun 1982. Penemuan ini menjadi terobosan dalam teknologi semikonduktor karena IGBT mampu menggabungkan keunggulan transistor bipolar dan MOSFET (Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor).

Kelompok insinyur yang menemukan IGBT terdiri dari Dr. Fujio Masuoka, Dr. Yoshifumi Yasuda, Dr. Takashi Takagawa, dan Dr. Kenichi Ota. Mereka berhasil mengembangkan teknologi IGBT yang dapat mengatasi kelemahan transistor bipolar seperti switching losses yang tinggi dan kelemahan MOSFET seperti resistansi channel yang besar.

Penemuan IGBT menjadi tonggak sejarah dalam perkembangan teknologi semikonduktor dan telah mengubah cara kita mengontrol daya pada berbagai aplikasi elektronik. IGBT digunakan secara luas pada aplikasi seperti sistem tenaga surya, konverter listrik, motor kontrol, dan berbagai aplikasi daya lainnya.

Baca Juga :  Perbedaan Antena TV Digital Dan Antena TV Analog

Perbedaan IGBT dengan mosfet

IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor) dan MOSFET (Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor) adalah dua jenis transistor semikonduktor yang umum digunakan dalam aplikasi elektronik daya. Meskipun keduanya memiliki beberapa kesamaan, ada beberapa perbedaan utama antara IGBT dan MOSFET, yaitu:

  • Tegangan Breakdown: IGBT memiliki toleransi tegangan breakdown yang lebih tinggi daripada MOSFET, sehingga IGBT dapat menangani tegangan tinggi dan memiliki aplikasi yang lebih luas pada sistem tenaga besar.
  • Kecepatan Switching: MOSFET memiliki kecepatan switch yang lebih cepat daripada IGBT karena MOSFET tidak memiliki junction bipolar seperti IGBT. Namun, IGBT memiliki switching losses yang lebih rendah daripada MOSFET, sehingga lebih efisien pada aplikasi dengan tegangan dan arus tinggi.
  • Biaya: IGBT lebih mahal daripada MOSFET karena IGBT lebih kompleks dan memiliki struktur yang lebih rumit.
  • Kebisingan: IGBT menghasilkan lebih sedikit kebisingan (noise) daripada MOSFET karena switching losses yang lebih rendah, sehingga IGBT cocok untuk aplikasi yang memerlukan kebisingan yang rendah seperti audio atau medis.
  • Heat Dissipation: MOSFET lebih mudah didinginkan daripada IGBT karena MOSFET memiliki impedansi termal yang lebih rendah.

Secara umum, IGBT digunakan pada aplikasi daya yang lebih besar seperti sistem tenaga dan konverter listrik, sedangkan MOSFET lebih cocok untuk aplikasi dengan tegangan dan arus yang lebih rendah seperti motor DC dan audio. Namun, penggunaan keduanya tergantung pada kebutuhan aplikasi dan desain sistem elektronik yang spesifik.

Polaritas dan Jenis IGBT

IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor) dapat dibedakan berdasarkan jenisnya dan polaritasnya.

Berdasarkan jenisnya, IGBT dapat dibagi menjadi dua, yaitu:

N-channel IGBT

IGBT jenis ini memiliki channel berupa bahan semikonduktor tipe n, sehingga arus mengalir dari source ke drain melalui channel. IGBT jenis ini lebih umum digunakan karena memiliki performa yang lebih baik dan lebih mudah diproduksi.

P-channel IGBT

IGBT jenis ini memiliki channel berupa bahan semikonduktor tipe p, sehingga arus mengalir dari drain ke source melalui channel. IGBT jenis ini jarang digunakan karena sulit untuk diproduksi dan performanya lebih rendah.

Berdasarkan polaritasnya, IGBT dapat dibagi menjadi dua, yaitu:

IGBT positif

IGBT jenis ini memiliki tegangan gate positif dan arus gate negatif, sehingga saat tegangan gate positif diberikan,. Dengan demikian maka akan mengalirkan arus dari source ke drain. Biasanya digunakan pada aplikasi DC-DC converter dan inverter.

IGBT negatif.

IGBT jenis ini memiliki tegangan gate negatif dan arus gate positif, sehingga saat tegangan gate negatif diberikan. Dengan demikian maka akan mengalirkan arus dari drain ke source. Biasanya digunakan pada aplikasi UPS (Uninterruptible Power Supply) dan motor listrik.

Pemilihan jenis dan polaritas IGBT tergantung pada kebutuhan aplikasi dan spesifikasi sistem. Penting untuk memilih IGBT yang tepat agar sistem dapat beroperasi dengan baik dan aman.

Keunggulan mesin las listrik igbt vs las listrik mosfet

IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor) dan MOSFET (Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor) adalah dua teknologi transistor semikonduktor yang umum digunakan pada mesin las listrik. Meskipun keduanya memiliki keunggulan dan kelemahan masing-masing, terdapat beberapa keunggulan mesin las listrik IGBT dibandingkan dengan mesin las listrik MOSFET, yaitu:

  • Kemampuan menangani daya tinggi. Mesin las listrik IGBT memiliki kemampuan menangani daya tinggi yang lebih baik daripada mesin las listrik MOSFET. Hal ini membuat mesin las listrik IGBT lebih cocok untuk penggunaan industri yang memerlukan daya tinggi, seperti di sektor manufaktur, pertambangan, dan konstruksi.
  • Efisiensi. Mesin las listrik IGBT memiliki efisiensi yang lebih tinggi dibandingkan dengan mesin las listrik MOSFET karena memiliki kehilangan daya (power loss) yang lebih rendah pada saat switching. Ini mengakibatkan penghematan energi dan biaya operasional yang lebih rendah.
  • Stabilitas. Mesin las listrik IGBT lebih stabil dalam menghasilkan arus las dan memiliki output yang lebih konsisten, dibandingkan dengan mesin las listrik MOSFET.
  • Harga yang lebih terjangkau. Mesin las listrik IGBT memiliki harga yang lebih terjangkau daripada mesin las listrik MOSFET karena teknologi IGBT telah lebih matang dan lebih banyak digunakan pada aplikasi elektronik daya.

Namun, mesin las listrik MOSFET juga memiliki keunggulan, yaitu:

  • Switching yang lebih cepat. Mesin las listrik MOSFET memiliki switching yang lebih cepat dibandingkan dengan mesin las listrik IGBT,. Ini sehingga dapat memproses sinyal dan informasi dengan lebih cepat.
  • Ukuran yang lebih kecil. Mesin las listrik MOSFET memiliki ukuran yang lebih kecil dan lebih ringan. yang membuatnya lebih mudah untuk dipindahkan dan dioperasikan pada proyek-proyek yang memerlukan mobilitas.

Pilihan antara mesin las listrik IGBT atau MOSFET tergantung pada kebutuhan dan kondisi aplikasi yang spesifik. Jika memerlukan daya yang tinggi dan efisiensi yang lebih baik, mesin las listrik IGBT lebih cocok, namun jika memerlukan kecepatan switching yang tinggi dan ukuran yang lebih kecil, mesin las listrik MOSFET lebih cocok.

IGBT adalah komponen elektronika yang penting, memiliki karakterisitik tersendiri, termsuk kelebihan dan kekurangannya. Semoga informasi ini bermanfaat

Leave a Reply